09:45 〜 10:00 △ [13a-B401-4] SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成の理解 〇溝端 秀聡1、和田 悠平1、加賀 三志郎1、野﨑 幹人1、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)