16:00 〜 18:00 [13p-PB1-11] InGaN/GaN屈折率導波路型フォトニック結晶デバイスに向けたHEATE法による三角ナノホール構造の面方位依存性検討 〇阿部 洸希1、大江 優輝1、川崎 裕生1、伊藤 大智1、森谷 祐太1、木下 堅太郎1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクスリサーチセンター)