15:00 〜 15:15 △ [14p-A303-6] Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜の形成とMFSFETの特性向上 〇(M2)片岡 正和1、林 将生1、Kim Min Gee1、大見 俊一郎1 (1.東工大)