09:15 〜 09:30 △ [13a-B401-2] DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価 〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、橋詰 保3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研)