09:30 〜 09:45 △ [14a-A410-3] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討 〇(B)山根 耀真1、田中 大稀1、Weifang Lu1、柳井 光佑1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大理工、2.赤﨑記念研究センター)