11:30 〜 11:45 [14a-A410-10] イオン注入もしくはエピによりp層形成した4H-SiC PiN構造における深い準位の評価 〇深谷 周平1、米澤 喜幸2、加藤 智久2、加藤 正史1 (1.名工大、2.産総研)