13:30 〜 15:30 [14p-PB2-11] InAs/GaAs量子ドット混晶化におけるイオン注入条件の検討 〇平石 優1、伊藤 大誠1、權 晋寛2、松島 裕一1、石川 浩1、荒川 泰彦2、宇髙 勝之1 (1.早稲田大学、2.東京大学ナノ量子機構)