09:30 〜 09:45 [15a-A302-3] InGaN下地層がInGaN/GaN量子井戸の発光強度に与える影響 〇河村 澪1、岩崎 直矢2、猪股 祐貴1、岡田 成仁1、倉井 聡1、山田 陽一1、只友 一行1 (1.山口大学院創成科学研究科、2.山口大学工学部)