13:45 〜 14:00 [14p-B401-2] 様々な条件で作製したGaN縦型トレンチMOSFETの反転チャネル移動度 〇(M1)NAM KyungPil1、石田 崇1,2,3、Maciej Matys2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院、2.名大未来研、3.トヨタ自動車)