[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2020年3月14日(土) 09:00 〜 11:45 A410 (6-410)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [14a-A410-1] Optimization of furnace structure for 300 mm SiC solution growth by machine learning

〇Wancheng YU¹、Can Zhu¹、Shunta Harada^1,2、Tagawa Tagawa^1,2、Toru Ujihara^1,2,3 (1.IMaSS, Nagoya Univ、2.Nagoya Univ.、3.GaN-OIL, AIST)

09:15 〜 09:30

▲ [14a-A410-2] Growth of high-quality 3-inch 4H-SiC crystals by solution method

〇Can Zhu¹、Wancheng Yu¹、Wei Huang¹、Motoki Ikumi¹、Yifan Dang¹、Keisuke Ando¹、Takama Unno¹、Shunta Harada¹、Miho Tagawa¹、Toru Ujihara^1,2 (1.Nagoya Univ.、2.AIST)

09:30 〜 09:45

△ [14a-A410-3] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討

〇(B)山根耀真¹、田中大稀¹、Weifang Lu¹、柳井光佑¹、上山智¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹、赤﨑勇^1,2 (1.名城大理工、2.赤﨑記念研究センター)

09:45 〜 10:00

[14a-A410-4] 4H-SiCの高温でのバンド端フォトルミネセンス

〇花輪雅史¹、土田秀一¹ (1.電中研)

10:00 〜 10:15

△ [14a-A410-5] ワイドギャップ半導体の衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の解析

〇田中一^1,2、木本恒暢¹、森伸也² (1.京大、2.阪大院工)

10:30 〜 10:45

[14a-A410-6] 第一原理計算によるSiC表面のステップモロフォジーの検討

〇制野かおり^1,2、押山淳¹ (1.名大未来研、2.クロスアビリティ)

10:45 〜 11:00

[14a-A410-7] SiCエピ膜から得られるμ-PCDおよびTR-PL減衰曲線の比較

〇加藤正史¹、片平真哉¹ (1.名工大)

11:00 〜 11:15

[14a-A410-8] 4H-SiC極性面の表面再結合速度の注入フォトン数依存性

〇韓磊¹、加藤智久²、加藤正史¹ (1.名工大、2.産総研)

11:15 〜 11:30

[14a-A410-9] 4H-SiC SJ-UMOSFET 内部のキャリアライフタイム分布測定

〇福井琢也¹、長屋圭祐¹、俵武志²、加藤正史¹ (1.名工大、2.産総研)

11:30 〜 11:45

[14a-A410-10] イオン注入もしくはエピによりp層形成した4H-SiC PiN構造における深い準位の評価

〇深谷周平¹、米澤喜幸²、加藤智久²、加藤正史¹ (1.名工大、2.産総研)

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