[12a-A201-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[12a-A201-2] 抵抗加熱式CZ法による直径6インチ金属Ni単結晶作成

〇高橋 和也¹、福田 承生¹、藤井 高志^1,2、川又 透³、杉山 和正³、成塚 重弥⁴ (1.㈱福田結晶研、2.桂オプティクス、3.東北大金研、4.名城大理工)

キーワード：Ni単結晶、金属単結晶、結晶成長

Ni単結晶はGaN用格子整合基板、グラフェン用基板として期待されている。今回、GaNパワーデバイス用基板として求められる直径6インチサイズの結晶を作成し、6インチエピレディウエハ作成に成功した。抵抗加熱式と誘導加熱式作成法の品質の比較、及びNi (111) 基板上に成膜されたグラフェンの結果について報告する。