[12a-A202-1~7] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[12a-A202-2] Mechanism of WET chemical atomic layer etching on Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor

〇Tomoki Hirano¹, Kenya Nishio¹, Takashi Fukatani¹, Suguru Saito¹, Yoshiya Hagimoto¹, Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:wet etching, compound semiconductor, atomic layer etching

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のウェットエッチングには、微細化に伴いnmレベルのエッチング制御性が要求される。課題を解決する手法として、酸化層の形成と溶解を異なる薬液で行い、2つの薬液処理を繰り返すことによりエッチングを進行させる原子層エッチングが挙げられる。本研究では、代表的なⅢ-Ⅴ族材料であるInGaAsに対して薬液処理と表面分析を行うことにより、原子層エッチングにおける酸化・溶解の反応過程を考察した。