[12a-A202-1~7] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12a-A202-2] Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体におけるWETプロセスを利用した原子層エッチングのメカニズム解明

〇平野 智暉¹、西尾 賢哉¹、深谷 天¹、齋藤 卓¹、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：ウェットエッチング、化合物半導体、原子層エッチング

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のウェットエッチングには、微細化に伴いnmレベルのエッチング制御性が要求される。課題を解決する手法として、酸化層の形成と溶解を異なる薬液で行い、2つの薬液処理を繰り返すことによりエッチングを進行させる原子層エッチングが挙げられる。本研究では、代表的なⅢ-Ⅴ族材料であるInGaAsに対して薬液処理と表面分析を行うことにより、原子層エッチングにおける酸化・溶解の反応過程を考察した。