[12a-A202-1~7] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12a-A202-5] レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるSi ウエハ研削加工面のポテンシャル評価

〇中西 英俊¹、西村 辰彦¹、伊藤 明¹、藤田 雄也¹ (1.SCREEN)

キーワード：研削加工、テラヘルツ波、フェムト秒レーザー

レーザーテラヘルツ放射顕微鏡（LTEM）は、フェムト秒レーザーを半導体等の試料に照射し放射されるTHz波を可視化する技術である。半導体界面領域（表面含む）からTHz波が放射されるため、同領域特性を選択的に非接触で計測できる。近年、ウエハ表面研削技術と同評価技術の重要性が高まっている。LTEM技術により、Siウエハ研削加工面の表面ポテンシャルを非破壊・非接触で計測することを試みたので報告する。