[12a-A301-1~5] 多様な安定相のエンジニアリングによる多元系材料開発の新展開 － 未来材料開拓イニシアチブ ～環境･エネルギー材料の未来 ～ －

[12a-A301-4] ワイドギャップ半導体Ga₂O₃の安定相の制御

〇大島 祐一¹ (1.NIMS)

キーワード：Ga2O3、準安定、HVPE

Ga₂O₃の準安定相は、安定相でありパワーデバイス応用が精力的に検討されているβ相と同じくウルトラワイドギャップ半導体であるうえ、β相には無いユニークな特長を有する。準安定Ga₂O₃のデバイス応用のためには、相制御された薄膜のエピ成長技術を確立する必要がある。本講演では、我々が取り組んでいるHVPEを中心に、準安定Ga₂O₃の相制御の現状やデバイス応用に向けた高品質化の取り組みを紹介する。