[12a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-A302-1] GaN基板のオフ角度とMOVPE成長ステップバンチングとの相関

〇渡邉 浩崇¹、新田 州吾¹、安藤 悠人²、出来 真斗¹、田中 敦之^1,3、本田 善央¹、天野 浩^1,4,5 (1.名大未来材料・システム研究所、2.名大院工、3.物質・材料研究機構、4.名大・赤﨑記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：半導体、結晶成長、有機金属気相成長

我々は、これまでに自立GaN基板上のp-nダイオードの電流リーク箇所の調査を行ってきた。電流リーク分布が結晶成長後に観測されるステップバンチングの形状を反映していることを報告している。これらのpnダイオードは、HVPEで作製された自立GaN基板上にMOVPE法を用いてデバイス構造を作製している。本研究では、nGaN成長後に観測されるステップバンチングとGaN基板オフ角の依存性について議論する。