[12a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12a-A302-4] ナノパターン溝を形成したAlNおよびAl_0.55Ga_0.45N上へのAl_0.55Ga_0.45Nの成長

〇(M1)手良村 昌平¹、下川 萌葉¹、山田 和輝¹、佐藤 恒輔^1,2、安江 信次¹、田中 隼也¹、荻野 雄矢¹、大森 智也¹、石塚 彩花¹、岩山 章^1,4、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,3、三宅 秀人¹ (1.名城大・理工、2.旭化成㈱、3.名古屋大・赤﨑記念研究センター、4.三重大・院・地域イノベ)

キーワード：半導体、AlGaN、ナノパターン