[12a-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[12a-A302-5] Fabrication of ELO-AlN template and the evaluation of MQW

〇Takahiro Saito¹, Fijun Kim¹, Narihito Okada¹, Noritoshi Maeda², Masafumi Jo², Hideki Hirayama², Kazuyuki Tadatomo¹ (1.Grad.School of Sci. & Tech. for Innovation,Yamaguchi Univ., 2.RIKEN)

Keywords:AlN, ELO

AlNは、深紫外発光素子の材料として注目されており、深紫外LDは卓上レーザー加工機などで期待されている。今後のAlGaN系深紫外線LDの開発には、低転位密度かつ高品質なAlNの作製が課題となっている。一方で、AlN基板の価格は未だに高く、低価格での作製も重要である。我々はテンプレート上に無転位部分を形成し、そこにLDを作製することを目標とし、ELO成長を行ってきた。本研究では、ELO-AlN上のMQWの調査と、無転位領域拡大の検討を行った