[12a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-A302-6] 原料ガス交互供給によるBN薄膜のCVD成長機構

〇山田 永¹、井爪 将^1,2、山田 寿一¹、清水 三聡^1,2 (1.産総研GaN-OIL、2.名大)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、化学気相法、ジボラン

六方晶窒化ホウ素（h-BN）は層状構造を有するワイドバンドギャップ半導体（∼6eV）であり、深紫外線発光素子材料、グラフェン半導体のゲート絶縁膜、GaN系半導体の剥離層等の期待がある。これまでに我々はB原料としてジボラン（B₂H₆）を使用した化学気相（CVD）法においてh-BN薄膜が成膜可能であり、トリメチルボロン（TMB、(CH₃)₃B）と比較してC濃度が2桁低減され、高純度化が期待できることを報告してきた。今回は原料ガスの供給条件を変化させて成膜したh-BN薄膜の特性結果について報告する。