[12a-B410-1~8] 3.7 レーザープロセシング

[12a-B410-7] 薄膜レーザーアブレーションによりドーピングが施された4H-SiCの電気特性評価

〇菊地 俊文^1,2、妹川 要²、池田 晃裕³、中村 大輔¹、浅野 種正¹、池上 浩^1,2 (1.九大シス情、2.九大 ギガフォトンNextGLP共同研究部門、3.崇城大学 情報学科)

キーワード：レーザー、半導体、SiC

今までの報告で4H-SiC基板上にp型、n型のドーパントとなる不純物を含んだ膜を形成し,不活性ガス中でレーザーアブレーションさせ4H-SiC内に不純物を拡散が達成されることを報告してきた.本報告では,レジスト膜を用いた選択ドーピングの手法を開発し,ホール効果測定に最適なレーザードーピングを施すことが可能となった. SiC内に拡散したドーパントの活性化率をホール効果測定により行ったので報告する.