[12a-B508-1~11] 3.5 レーザー装置・材料

[12a-B508-2] 450-nm LD励起低温動作Ti:sapphireレーザ

〇(B)塩谷 優太¹、藤田 将吾¹、神成 文彦¹ (1.慶大理工)

キーワード：チタンサファイア、窒化インジウムガリウム半導体レーザ

5 Wの449-nm LDを励起光に用い，結晶長とドープ濃度，FOMの異なる3つの結晶を用いて，Ti:sapphireレーザの室温およびクライオスタットを用いた低温発振実験を行った． またFOMの異なる結晶で蛍光強度の温度特性を取得し，FOMが低く，かつドープ濃度の高い結晶では，低温において緑色励起に比べても明らかに蛍光効率の大きな改善率が見られた．本講演では，低温でレーザ発振させた場合の出力特性についての詳細を報告する．