The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[12a-D215-1~8] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

Thu. Mar 12, 2020 9:30 AM - 11:45 AM D215 (11-215)

Tetsuya Takeuchi(Meijo Univ.), Masamitsu Takahasi(QST)

10:00 AM - 10:15 AM

[12a-D215-3] Investigation on Recovery Mechanism of III-V-N Alloy by Electron Irradiation

Ryo Futamura1, Keisuke Yamane1, Shigeto Genjo1, Taishi Sumita2, Mitsuru Imaizumi2, Akihiro Wakahara1 (1.Toyohashi Tech., 2.JAXA)

Keywords:III-V-N Alloy, Point defect

III-V-N混晶はN組成の増加に伴いN起因の点欠陥が増加し、光電効果特性の劣化を引き起こす。この問題に対し、GaPN混晶に放射線照射した後、熱処理を施すことで、従来の熱処理のみの手法に比べより大きく結晶性の回復効果が得られた。また放射線に電子線を用いることで、結晶性回復メカニズムとして、内在するN起因点欠陥と選択的に導入されたP空孔の対消滅モデルを支持する実験結果を得ることができた。