[12a-D215-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-D215-3] 電子線照射によるIII-V-N混晶の結晶性回復メカニズムの検討

〇二村 綾¹、山根 啓輔¹、源常 栄人¹、住田 泰史²、今泉 充²、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大、2.宇宙機構)

キーワード：III-V-N混晶、点欠陥

III-V-N混晶はN組成の増加に伴いN起因の点欠陥が増加し、光電効果特性の劣化を引き起こす。この問題に対し、GaPN混晶に放射線照射した後、熱処理を施すことで、従来の熱処理のみの手法に比べより大きく結晶性の回復効果が得られた。また放射線に電子線を用いることで、結晶性回復メカニズムとして、内在するＮ起因点欠陥と選択的に導入されたＰ空孔の対消滅モデルを支持する実験結果を得ることができた。