[12a-D215-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [12a-D215-4] GaPN混晶でのリン空孔を介した窒素起因点欠陥の消滅に関する理論的解析

〇牧 唯人¹、山根 啓輔¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：III-V-N混晶、点欠陥、第一原理計算

III-V-N混晶は、多接合型太陽電池材料として期待されているが、窒素起因点欠陥がデバイス特性を悪化させることも知られている。点欠陥の低減および消滅に向け我々は、第一原理計算による理論的解析や陽子線照射を用いた実験的検証を試みてきた。本研究では、これまでの調査から示唆されるリン空孔を介した点欠陥消滅の可能性に関して解析を行った。結果として、種々の点欠陥消滅に際しリン空孔が重要な役割を果たすことが確認できた。