[12a-D215-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-D215-5] 低温成長GaAs_1-xBi_xの分子線エピタキシャル成長条件

〇富永 依里子¹、堀田 行紘¹、高垣 佑斗¹、行宗 詳規²、藤原 亮²、石川 史太郎² (1.広大院先端研、2.愛媛大理工)

キーワード：Bi系III-V族半導体混晶、低温成長