[12a-D215-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-D215-6] GaAs/GaAsBiコアーシェルナノワイヤ成長におけるBiフラックスの影響

〇森 翔太¹、堤 陸朗¹、行宗 詳規¹、石川 史太郎¹ (1.愛媛大工)

キーワード：半導体、GaAsBi、ナノワイヤ

分子線エピタキシー法により作成したGaAsBiをシェル層に有するGaAs系コアシェル型ナノワイヤの成長を試み，その構造特性について表面走査型電子顕微鏡(SEM)で観察やX線回折(XRD)により評価した結果について報告する.