[12a-D215-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [12a-D215-7] Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長

〇(M2)蒲生 浩憲¹、冨岡 克広¹ (1.北大量集センター)

キーワード：ナノワイヤ、InAs/GaSb