[12a-D215-1~8] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

△ [12a-D215-8] Relationship between Surface Morphology and Electron Mobility in AlInSb/InSb QW Structures

〇Ryuto Machida^1,2, Issei Watanabe^1,2, Shinsuke Hara¹, Akira Endoh^1,2, Yoshimi Yamashita¹, Akifumi Kasamatsu¹, Hiroki Fujishiro² (1.NICT, 2.Tokyo Univ. of Science)

Keywords:quantum well structure, surface morphology, electron mobility

InSb系HEMTはミリ波・テラヘルツ波帯で動作する電子デバイスとして有望である。しかしながら，双晶・貫通転位などの結晶欠陥や界面ラフネスが散乱因子としてAlInSb/InSb量子井戸（QW）構造の電気的特性を劣化させる。本研究は，AlInSb/InSb QW構造の表面モフォロジーを原子間力顕微鏡で解析し，貫通転位および原子ステップと電気的特性（電子移動度，シートキャリア濃度）の関係について報告する。