[12a-D215-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [12a-D215-8] AlInSb/InSb QW構造における表面モフォロジーと電子移動度の関係

〇町田 龍人^1,2、渡邊 一世^1,2、原 紳介¹、遠藤 聡^1,2、山下 良美¹、笠松 章史¹、藤代 博記² (1.情報通信研究機構、2.東理大基礎工)

キーワード：量子井戸構造、表面モフォロジー、電子移動度

InSb系HEMTはミリ波・テラヘルツ波帯で動作する電子デバイスとして有望である。しかしながら，双晶・貫通転位などの結晶欠陥や界面ラフネスが散乱因子としてAlInSb/InSb量子井戸（QW）構造の電気的特性を劣化させる。本研究は，AlInSb/InSb QW構造の表面モフォロジーを原子間力顕微鏡で解析し，貫通転位および原子ステップと電気的特性（電子移動度，シートキャリア濃度）の関係について報告する。