[12a-D311-1~6] 9.3 Nanoelectronics

△ [12a-D311-1] Underlayer dependence of transport characteristics of Fe nanodot array

〇Ikuma Amano¹, Takayuki Gyakushi¹, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:single-electron device, underlayer, self-assembled nanodot array

ナノドットアレイを用いた単電子デバイスは、低消費電力・高機能性が可能な集積デバイスとして期待されている。しかしながら、動作温度の向上には、ドットサイズやドット密度のより自由な制御が不可欠となる。本研究では、ナノドットアレイの下地層が異なるデバイスを作製し、電気特性の評価を行った。その結果、従来のものより高密度でサイズの小さなドットアレイの作製に成功し、動作温度の向上につながる重要な知見を得た。