[12a-D311-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [12a-D311-1] Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存

〇天野 郁馬¹、瘧師 貴幸¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：単電子デバイス、下地層、自己組織化ナノドットアレイ

ナノドットアレイを用いた単電子デバイスは、低消費電力・高機能性が可能な集積デバイスとして期待されている。しかしながら、動作温度の向上には、ドットサイズやドット密度のより自由な制御が不可欠となる。本研究では、ナノドットアレイの下地層が異なるデバイスを作製し、電気特性の評価を行った。その結果、従来のものより高密度でサイズの小さなドットアレイの作製に成功し、動作温度の向上につながる重要な知見を得た。