2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-D419-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月12日(木) 09:00 〜 12:15 D419 (11-419)

清水 耕作(日大)、井手 啓介(東工大)

12:00 〜 12:15

[12a-D419-12] 水系前駆体溶液とエキシマ光アシストアニーリングによる溶液プロセスを用いた酸化インジウム薄膜の低温形成

〇(M1)高野 圭祐1、大浦 紀頼1、小山 政俊1、前元 利彦1、佐々 誠彦1、竹添 法隆2、清水 昭宏2、伊藤 寛泰2 (1.大工大 ナノ材研、2.ウシオ電機)

キーワード:酸化インジウム、エキシマ光、溶液法

我々は硝酸インジウムを用いた炭素を含まない水系前駆体溶液を作製し、酸化インジウム(In2O3)系のTFTのプロセス低温化を進めている。今回我々は、短波長のエキシマ光を用いた光アシストアニーリングに注目し、硝酸インジウムと水のみが含まれている状態の薄膜にエキシマ光を照射することで200℃程度の熱処理と同様の効果があることを赤外分光測定(FT-IR)から見出したのでそれらの結果について報告する。