[12a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-D419-2] 【注目講演】ワイドギャップ半導体 InGaZnO₄における格子間水素の電子状態

〇平石 雅俊¹、小嶋 健児²、岡部 博孝¹、幸田 章宏^1,3、門野 良典^1,3、井手 啓介⁴、松石 聡⁵、雲見 日出也⁵、神谷 利夫^4,5、細野 秀雄^4,5 (1.KEK物構研、2.TRIUMF、3.総研大、4.東工大フロンティア研、5.東工大元素センター)

キーワード：IGZO、ミュオン、水素

擬似水素としてのミュオンを用いるミュオンスピン回転実験を行い、InGaZnO₄ (IGZO)中の不純物水素の電子状態を調べた。その結果、通常の結晶IGZOとアモルファス薄膜ではミュオンがZn-Oの結合中心に位置していることを示唆する結果を得たが、水素チャージしたアモルファス薄膜では、一部のミュオンがH^-とペアの状態で酸素欠損位置を占有していることを示唆する結果を得た。