[12a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-D419-3] In-Sn-Zn-O TFTの水素化・酸素化とアニールによる信頼性の変化

〇清水 耕作¹ (1.日大生産工)

キーワード：酸化物半導体、ギャップ内準位、信頼性

非晶質酸化物TFTの信頼性について検討を行っている。これまで伝導帯下約1.5 eVの欠陥準位の増減がNBISと顕著な相関を持っていることを明らかにしてきた。今回は、酸化物TFTの性能低下の原因の一つであるバックチャネル側の欠陥準位に着目し、原子状水素、酸素を照射した。​TFT特性には水素化、酸素化の効果が認められるものの、構造に影響を与えない非常に微量の注入であることが分かった。