The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-D419-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Mar 12, 2020 9:00 AM - 12:15 PM D419 (11-419)

Kosaku Shimizu(Nihon Univ.), Keisuke Ide(Tokyo Tech)

10:45 AM - 11:00 AM

[12a-D419-7] Direct Photo-patterning Process for Solution-processed Metal Oxide TFT

Masashi Miyakawa1, Mitsuru Nakata1, Hiroshi Tsuji1, Yoshiki Nakajima1 (1.NHK STRL)

Keywords:Solution-processed oxide, Direct patterning, Soluition process

溶液プロセスを用いた塗布型酸化物TFTは、大気下で簡便に作製でき、大面積化、低コスト化といった点で有望である。TFT作製には、半導体薄膜のパターニングが必要であるが、溶液プロセスにおいても、煩雑なリソグラフィプロセスが一般的である。これまでに、パターニングプロセスを簡略化できる、紫外光照射による水系半導体前駆体溶液を用いた塗布膜へのダイレクト光パターニング技術を提案した。今回、さまざまな前駆体溶液への適用性検討を行い、有効性を評価したので報告する。