2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-D419-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月12日(木) 09:00 〜 12:15 D419 (11-419)

清水 耕作(日大)、井手 啓介(東工大)

10:45 〜 11:00

[12a-D419-7] 塗布型酸化物TFTにおけるダイレクト光パターニング

宮川 幹司1、中田 充1、辻 博史1、中嶋 宜樹1 (1.NHK放送技術研究所)

キーワード:塗布型酸化物、ダイレクトパターニング、溶液プロセス

溶液プロセスを用いた塗布型酸化物TFTは、大気下で簡便に作製でき、大面積化、低コスト化といった点で有望である。TFT作製には、半導体薄膜のパターニングが必要であるが、溶液プロセスにおいても、煩雑なリソグラフィプロセスが一般的である。これまでに、パターニングプロセスを簡略化できる、紫外光照射による水系半導体前駆体溶液を用いた塗布膜へのダイレクト光パターニング技術を提案した。今回、さまざまな前駆体溶液への適用性検討を行い、有効性を評価したので報告する。