[12a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12a-D419-8] 水素ドープアモルファス酸化ガリウムを用いた薄膜トランジスタ

〇加藤 昭宏¹、笠井 悠莉華¹、井手 啓介¹、片瀬 貴義¹、平松 秀典^1,2、細野 秀雄^1,2、神谷 利夫^1,2 (1.東工大フロ研、2.東工大元素)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、電界効果トランジスター、水素ドーピング