[12a-D519-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[12a-D519-2] In-situ observation of Si-based alloy epitaxial growth using printing and firing

〇Keisuke Fukuda¹, Masahiro Nakahara², Shogo Fukami¹, Satoru Miyamoto¹, Marwan Dhamrin², Kensaku Maeda³, Kozo Fujiwara³, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ., 2.Toyo Alminium, 3.Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor, Silicon-based thin film, epitaxial growth

SiGeは多接合型太陽電池のボトムセルとして注目されており、SiSnはSnの固溶により直接遷移化が見込め、光学的特性の面からも注目されている。
Si基板上にAl-Geペースト、Al-Snペーストをスクリーン印刷し、焼成により得られたSiGe及びSiSn混晶の薄膜形成に対する結晶成長の様子をその場観察し、焼成における昇温・冷却過程でのAl混合ペースト界面での溶融・共晶反応を実時間で検証する。