[12a-D519-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-D519-4] Bi誘起層交換成長法によるn型Ge/絶縁基板の低温形成

〇劉 森¹、公 祥生¹、高 洪ミョウ¹、佐道 泰造¹ (1.九大シス情)

キーワード：半導体、ゲルマニウム、層交換成長

高性能薄膜デバイスの創出を目指し、触媒(Au、Al 等)を用いたGe の層交換成長が検討されているが、多くの場合、成長層はp 型伝導を示す。我々はV 族元素Sb を用いる事でn 型Ge を実現したが、成長温度に必要な熱処理温度が450℃と高く、フレキシブルなプラスチック基板を用いるには更なる低温化(≦300℃)が求められる。n 型Ge 成長の低温化(≦300℃)には、Ge との共晶温度(271℃)が低いV 族元素Bi の採用が有効と考えられる。本研究では、Bi を用いたGe の層交換成長を検討したので報告する。