[12a-PA2-1~77] 17 Nanocarbon Technology

[12a-PA2-30] Control of chemical structure of defects and its effects on the electronic properties in epitaxial graphene

〇Yasushi Ishiguro¹, Yoshinori Obata², Tomoaki Nishimura³, Kazuyuki Takai^1,2,3 (1.Dept. of Chemical Science and Technology, Hosei Univ., 2.Graduate School of Science and Engineering, Hosei Univ., 3.Research Center of Ion Beam Technology, Hosei Univ.)

Keywords:epitaxial graphene, defects, hydrogen termination

欠陥の導入はグラフェンの物性を変調させる重要な戦略の1つであるが，これまでの研究では主に欠陥の数密度に焦点が当てられており，欠陥の化学構造についてはあまり考慮されて来なかった．しかし実際には，グラフェン中の単原子空孔は，終端水素原子の数と位置によっては磁気的になることなど化学構造が大きな影響を及ぼすことが知られている．本研究では，イオンビームにより欠陥をグラフェンに導入し，そこへ水素分子，原子状水素，および大気を暴露したときの欠陥の化学構造の解明およびその電子物性への影響を調べた．