[12a-PA2-1~77] 17 ナノカーボン

[12a-PA2-30] エピタキシャルグラフェンに導入した欠陥の化学構造の制御および電子物性への影響

〇石黒 康志¹、小幡 吉徳²、西村 智朗³、高井 和之^1,2,3 (1.法政大生命科学、2.法政大院理工、3.法政大イオン研)

キーワード：エピタキシャルグラフェン、欠陥、水素終端

欠陥の導入はグラフェンの物性を変調させる重要な戦略の1つであるが，これまでの研究では主に欠陥の数密度に焦点が当てられており，欠陥の化学構造についてはあまり考慮されて来なかった．しかし実際には，グラフェン中の単原子空孔は，終端水素原子の数と位置によっては磁気的になることなど化学構造が大きな影響を及ぼすことが知られている．本研究では，イオンビームにより欠陥をグラフェンに導入し，そこへ水素分子，原子状水素，および大気を暴露したときの欠陥の化学構造の解明およびその電子物性への影響を調べた．