[12a-PA2-1~77] 17 ナノカーボン

[12a-PA2-33] ランダウ準位間光学遷移によるグラフェンからのテラヘルツ発光

〇上田 弦¹、村野 裕一¹、滝沢 和宏¹、大辻 慎¹、生嶋 健司¹、金 鮮美²、Patrashin Mikhail³、寳迫 巌³、小宮山 進^3,4 (1.農工大院工、2.東大生産研、3.情報通信研究機構、4.東大院総合)

キーワード：グラフェン

グラフェンはギャップレスで線形なバンド分散を持つ。この特殊なバンド構造に起因し強磁場中で非等間隔なランダウ準位（LL）が形成される。本研究の目的は、このLL間光学遷移によるテラヘルツ発光を検出し、電流印加時におけるグラフェン・ホール素子の非平衡キャリアダイナミクスを理解することである。本講演では、グラフェンに印加した電力と発光強度との関係について議論する