[12a-PA2-1~77] 17 Nanocarbon Technology

[12a-PA2-51] Electrical transport properties of tetralayer graphene/hBN quantum dot

〇Taku Kato¹, Hirohito Ito¹, Takuya Iwasaki², Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi², Satoshi Moriyama², Tsuyoshi Hatano¹ (1.Nihon Univ., 2.NIMS)

Keywords:graphene, quantum dot

多層グラフェンは単層・2層グラフェンとは異なるバンド構造を持ち、単層グラフェンよりも長いスピン緩和長を持つことからスピントロニクス材料として有望である。しかしSiO₂/Si基板上に転写したグラフェンを用いたデバイスは基板表面のラフネスや不純物の影響を受けるため、明瞭な電子輸送特性を得ることが困難である。そこで我々は4層グラフェン/hBN構造を用いて単一量子ドットを作製し、その電気伝導特性を測定したので報告する。