[12p-A202-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12p-A202-11] 3次元デバイス構造のもとでの単原子層MoS₂チャネルのモンテカルロシミュレーションⅡ

〇岡田 崇太¹、吉田 勝尚¹、佐野 伸行¹ (1.筑波大数理)

キーワード：モンテカルロシミュレーション、単原子層、クーロン相互作用

単原子層MoS₂のモンテカルロ(MC)シミュレータに対して，エネルギー保存の観点からクーロン相互作用の高精度な導入について検討を行った．外場のない閉じた系との比較から，フォノン散乱によるエネルギー散逸の存在する開放系では，エネルギー保存則が破れている場合においても数値的に安定した結果を導いてしまうことが考えられる．2次元材料においては，膜厚に対してクーロン相互作用が非常に鋭敏になることが示唆される．