[12p-A202-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12p-A202-3] 「箱庭法」を用いたSiO₂/Si界面準位密度の新規算出方法

〇神山 栄治^1,2、末岡 浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大)

キーワード：界面、ダングリングボンド、箱庭法

SiO₂/Si界面の界面準位は同界面周辺のダングリングボンド（DB）が主な起源と考えられ，多くの欠陥種が実験的に発見・同定されている．しかしながら，そのDBの理論的形成メカニズムを定量的に解析した例はほとんど報告されていない．本報告では，「箱庭法」を用いたSiO₂/Si(100)界面の界面準位密度の算出手法を提案する．