2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[12p-A303-1~15] 13.8 光物性・発光デバイス

2020年3月12日(木) 13:45 〜 17:45 A303 (6-303)

七井 靖(青学大)、篠崎 健二(産総研)

16:15 〜 16:30

[12p-A303-10] 高濃度のDy3+を賦活したSrAl2O4:Eu2+,Dy3+の蛍光特性

戸田 健司1、田中 諒1 (1.新潟大院)

キーワード:長残光蛍光体、溶融急冷法、希土類

従来よりも高濃度のDy3+を賦活した長残光蛍光体SrAl2O4:Eu2+, Dy3+の合成を行うために、集光炉を用いた溶融急冷(Melt Quenching; MQ)法を用いた。MQ法で作製した10 mol%のDy3+が固溶したSrAl2O4:Eu2+, Dy3+の方が2 mol%の試料よりも残光特性が改善されていた。この研究結果より,MQ法は長残光蛍光体SrAl2O4:Eu2+, Dy3+の合成に対して有望な手法と言える.