[12p-A307-1~8] Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity of Nitride Semiconductors -Frontiers in defect physics: Merging characterization and theory-

[12p-A307-1] Nanostructural characterization of Mg implanted GaN layers by STEM and 3DAP

〇Tadakatsu Ohkubo¹, Ashutosh Kumar¹, Jun Uzuhashi¹, Ryo Tanaka², Shinya Takashima², Masaharu Edo², Kazuhiro Hono¹ (1.NIMS, 2.Fuji Electric Co.)

Keywords:p-type GaN, Scanning transmission electron microscopy, Atom probe tomography

Mg注入によるp型GaN半導体形成する際の、熱処理によるGaN内部の欠陥、Mg析出等の組織変化を理解するため、STEMと3DAPを用いて、Mg注入により形成された欠陥の熱処理による変化、及び、Mg偏析の挙動について解析を行ったのでその結果を報告する。