[12p-A307-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～実験と理論の接点を探る：物性解明と制御～

[12p-A307-1] STEM/3DAPによるMg注入GaN層のナノ組織解析

〇大久保 忠勝¹、Ashutosh Kumar¹、埋橋 淳¹、田中 亮²、高島 信也²、江戸 雅晴²、宝野 和博¹ (1.物材機構、2.富士電機)

キーワード：p型GaN、走査型透過電子顕微鏡、アトムプローブ

Mg注入によるp型GaN半導体形成する際の、熱処理によるGaN内部の欠陥、Mg析出等の組織変化を理解するため、STEMと3DAPを用いて、Mg注入により形成された欠陥の熱処理による変化、及び、Mg偏析の挙動について解析を行ったのでその結果を報告する。