[12p-A307-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～実験と理論の接点を探る：物性解明と制御～

[12p-A307-2] GaN中のらせん転位-不純物複合体の第一原理量子論による考察

〇白石 賢二¹ (1.名大未来研)

キーワード：窒化物半導体、転位、理論

GaN中のらせん転位とｐ型不純物であるMg不純物の複合体について第一原理計算で考察した。その結果、Mg不純物はらせん転位近傍に凝集することがわかった。またMg不純物の不純物準位はらせん転位自体の準位を混成を起こして、反結合状態と結合状態が生じる。このうちの反結合状態はMgがらせん転位に近づくとそのエネルギー準位の位置が伝導帯下端の直下に位置するようになり、ｎ型になる。これがリーク電流の原因となる。