[12p-A401-1~6] 17.3 Layered materials

[12p-A401-3] Chemical Gating for 2D Semiconducting Materials Using the Out-of-plane Molecular Dipole Moment

〇Akito Fukui¹, Akihiro Tsurusaki², Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹, Daisuke Kiriya¹ (1.Osaka Pref. Univ., 2.Osaka Pref. Univ. Sci.)

Keywords:2D semiconducting materials, Chemical gating

2次元半導体の電子状態は、極性分子の接面によって変化することが知られている。しかしながら、分極方向の制御が困難なため強くキャリア変調を誘起するのは難しい。本研究では、面外に分極を持つジベンゾホスフィンドリジン誘導体を用いることで、2次元半導体への有効な化学ゲーティングを指向したので報告する。